Memória 3D DRAM dá passo decisivo: novo processo permite empilhamento de 120 camadas
Pesquisadores do imec e da Universidade de Ghent anunciaram um resultado inédito: conseguiram crescer 120 camadas alternadas de Silício (Si) e Silício-Germânio (SiGe) em um wafer de 300 mm. O feito coloca a indústria mais perto da chamada memória DRAM tridimensional (3D DRAM), uma tecnologia que pode aumentar a densidade de dados sem ampliar a […]
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